技术编号:6999046
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及一种LED芯片及其制备方法。背景技术发光二极管(LED)是半导体照明技术的核心,其发光是由pn结在注入高密度电流时的电子和空穴复合而产生的。简单的同质结构Pn结不易得到高效率,因为pn结材料间的折射率之差低,光的阈值也低。双异质结可以提高效率,Pn结材料与有源层材料不同,带隙较高,可以得到较高的折射率之差,所辐射的光不但强而且半高宽较窄。目前,LED的有源层都采用了量子阱结构,其厚度减小到与德布罗意波长相近时,量子效应显现,其带隙...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。