技术编号:6999054
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属 于微电子,具体涉及一种用于铜与镍硅化合物直接接触的叠层结构及其制备方法。背景技术当今半导体器件不断朝着高效化、小型化的方向进步,作为半导体产业支柱的 CMOS器件更是沿着摩尔定律的方向飞速发展。由于器件集成度的提升,器件的高速度、低功耗等一直是CMOS器件所要解决的重要问题,为此,人们不断探究改善这些问题的工艺方法,其中很多成熟方案被应用于工业化生产当中。CMOS工艺的发展进步体现在整个工艺过程的各个方面。对于现代CMOS后端工艺中的互连工艺,铝...
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