技术编号：6999197
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域，具体涉及一种利用PN结放大带带隧穿电流的场效应晶体管——隧穿电流放大晶体管。背景技术集成电路50多年来的发展可以以摩尔总结的规律来描述，而未来集成电路产业与系统发展的驱动力应当是降低功耗，即不以提高集成度为技术节点，而以提高性能/功耗比为标尺。当集成电路的功耗成为不可忽视的问题的时候，以低功耗设计为宗旨的绿色纳米器件便应允而生。传统M0SFET，因为受到热电势的限制，亚阈值斜率理论极...
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