技术编号:6999405
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基于SiC衬底上外延生长的石墨烯作为可饱和吸收体用于激光器被动锁模,属于激光技术及其非线性光学领域。背景技术光纤激光器与其他类型激光器相比,具有效率高、体积小、光束质量好等优点,可广泛应用于光纤通讯、材料加工等领域。特别是高平均功率、高重复频率的被动锁模脉冲光纤激光器在精密激光微加工等领域具有无法比拟的优势。通常实现被动锁模的技术有半导体可饱和吸收镜(SESAM)、碳纳米管(SWNT)等技术。然而SESAM具有制作工艺复杂、生产成本高、可饱和吸收...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。