技术编号:6999440
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,属于半导体发光器件。背景技术ZnO是一种继GaN之后的新型宽禁带半导体材料,具有直接宽禁带(3. 37 eV)和高激子束缚能(60 meV)等优点,在短波长发光器件中极具应用潜力,有望成为下一代节能环保与廉价的光电材料。通常,ZnO材料沿着其极性轴c轴方向生长,由于自发极化和压电效应,在量子阱中会产生强大的内建电场,该内建电场将引起电子和空穴波函数在空间上分离,减少电子-空穴的复合几率,大大降低SiO基发光器件的发光效率;此外,还会引发量子约束...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。