技术编号:6999456
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种以一非晶碳植入层作为硬罩幕来蚀刻低介电常数介电质层的方法,特别是有关一种以一非晶碳植入层作为硬罩幕来蚀刻低介电常数介电质层以形成一沟槽(trench)或介层窗(via)的方法。 背景技术 在半导体芯片的后段(back end of line;BEOL)制程中,在芯片中加上连接各组件与各层所需要的金属系统的制程,称为金属化制程。上述的金属化制程包含形成一介电质层覆盖一半导体基板、平坦化并图形化上述介电质层以形成沟槽及/或介层窗、以及填充上述沟槽...
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