技术编号：6999523
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，特别涉及一种半导体结构及形成方法、PMOS晶体管及形成方法。背景技术随着CMOS器件尺寸的不断减小，CMOS晶体管的短沟道效应以及载流子迁移退化效应日益突出。而随着对半导体器件性能要求的提高，对器件短沟效应的抑制能力以及对载流子迁移率的提升能力的需求也日益突出。现有为了抑制器件的短沟道效应，通常采用的方法是提高衬底的掺杂浓度、增加源/漏轻掺杂区(LDD区)，或者在绝缘体上硅(SOI)结构中采用厚度更薄的硅衬底结构。 但是，提高衬底的掺...
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