技术编号:6999527
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域,尤其是功率半导体器件中的垂直双扩散MOS管及其制造方法。背景技术功率MOS管是在集成电路工艺基础上发展起来的新一代电力电子开关器件,利用此类器件,可在微电子工艺基础上实现电力设备高功率、大电流的要求。功率MOS管主要包括垂直双扩散MOS管(VDMOS,vertical doublediffused M0SFET)和横向双扩散MOS管 (LDMOS, lateral double diffusedMOSFET)两种类型。其中,垂直双...
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