技术编号:6999565
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造方法,尤其涉及一种。背景技术传统的金属氧化物半导体(M0Q晶体管,其栅极、源极和漏极位于同一水平面上, 其表面栅结构存在着通态电阻大和功耗高的问题,无法很好的满足功率器件的需求。为了满足大功率晶体管的需求,沟槽栅MOS器件便应运而生。沟槽栅MOS器件不仅继承了水平沟道MOS晶体管输入阻抗高、驱动电流小等优点,还具有耐高压、工作电流大、输出功率高、 开关速度快等优点。在沟槽栅MOS器件的制造过程中,其沟槽栅的制造尤为重要,决定着沟槽...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。