技术编号:6999620
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件,特别是关于一种具有柱状半导体,将其侧壁作为沟道区域,并采用以使栅极电极包围沟道区域的方式形成的纵型M0S(Metal Oxide Semiconductor ;金属氧化物半导体)晶体管的环绕栅极晶体管(Surrounding Gate Transistor ;SGT)的 CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor ;互补式金属氧化物半导体)反向器(inverter)中、特别是以2段以...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。