技术编号：6999706
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体器件，涉及GaN异质结场效应晶体管(AWaN/GaN HFET)，尤其涉及增强型GaN异质结场效应晶体管。背景技术硅(Si)基功率器件经过多年的发展，目前已进入性能平稳期，其性能的进一步提升往往伴随着成本的显著增加。与此同时，诸多新型应用对功率管理单元的体积、效率以及工作稳定性提出了更高要求。然而，传统Si基功率器件的性能已逼近其理论极限，使得宽禁带半导体成为应用于功率管理的理想替代材料。作为第三代半导体材料的典型代表， 宽禁带半导体氮...
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