技术编号:6999790
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及。背景技术在半导体器件中,减小RC(resistance capacitance delay)延迟,可以提高半导体器件的性能。随着半导体工艺的发展,半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进,工艺节点进入到65纳米、45纳米,甚至更低的32纳米。随着半导体技术的不断进步,器件的功能不断强大,器件的集成度越来越高,器件的特征尺寸(criticaldimension,⑶)越来越小,相应的需要进一步减小RC延迟,这样才可以提...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。