技术编号：6999791
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体。特别地，本发明涉及。更特别地，本发明涉及包括具有漏斗形通孔的金属间介电(IMD)结构的。背景技术集成电路领域中的主要挑战之一是在系统的有源器件之间以及系统本身和其他相关系统之间实现电连接，例如，在电子器件的复杂结构中。为了在半导体中获得的有源器件具有非常小型化趋势，事实上，互连结构的结构和尺寸变得越来越重要。特别地，在小型化趋势期间的某种情况下，需要在有源器件之间布置互连线的面积超过了由器件本身占用的面积。这里，由于系统的整体尺寸受到互连...
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