技术编号：6999863
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作，且特别涉及一种具有经改善绝缘特性的介电层的制造方法，以及具有经改善绝缘特性的介电层的半导体结构的制造方法。背景技术在半导体制作中形成介电绝缘材料、半导体材料与导电材料等多个膜层，以制作出多层(multilevel)半导体装置。 朝向更小组件尺寸与更高密度的半导体装置的持续演进的众多限制因素之一为形成于半导体组件内用于隔离金属内连物与其内的被动或主动构件的介电绝缘材料的绝缘特性不足，这是因为介电绝缘材料的厚度或间隔受到减少。举例来说，氧...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。