技术编号：6999956
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体等离子刻蚀设备温度区域控制，更确切地说，本发明涉及一种静电卡盘温度控制区的设计。背景技术在微电子IC制造工艺过程中，特别是刻蚀、物理气相沉积(PVD)及化学气相沉积 (CVD)过程中，一般使用静电卡盘ESC (Electrostatic Chuck)来固定、支撑及传送晶片，以避免晶片在工艺过程中出现移动或错位现象。同时，静电卡盘会对晶片实现温度控制，以促进晶片刻蚀的均勻性，在半导体工艺过程中，特别是刻蚀和PVD中，对工艺均勻性的要求是非...
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