技术编号：7000200
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制备和三维集成，尤其涉及。背景技术三维集成技术使用穿透硅通孔(Through-Silicon-Via，TSV)实现多层芯片的通讯，可以有效缩短芯片间互连线长度并提供异质集成能力，是微电子技术发展的一个重要方向。要实现三维集成，需要穿透硅通孔制备、芯片减薄与转移和堆叠键合等三方面的关键技术。穿透硅通孔的背部与另一层芯片获得有效电连接，是实现三维集成的核心技术之一， 目前在这方面主要依靠金属键合的方式。传统的三维集成方案，在半导体衬底上制作完成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。