技术编号:7000267
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化镓(GaN)系发光二极管,特别是涉及一种由两组或多组不同铟组分的η型电子耦合层的氮化镓系发光二极管。背景技术目前III-V族半导体光电材料被誉为第三代半导体材料。而GaN系发光二极管, 由于可以通过控制材料的组成来制作出各种色光(尤其是需要高能隙的蓝光或紫光)的发光二极管(简称为“LED” ),而成为业界研究的重点。以GaN为基础的半导体材料或器件的外延生长目前主要采用MOCVD技术。在利用 MOCVD技术生长氮化物半导体(GaN、A1N...
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