技术编号:7000286
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有三重势阱的。本发明涉及的包括以下步骤(a)在第一导电型的半导体衬底上,形成具有第一开口部分的第一掩膜层;(b)在第一开口部分的半导体衬底的裸面上,形成具有特定膜厚的第一绝缘层;(c)以该第一掩膜层作为掩膜,经由第一绝缘层,通过离子注入将第二导电型的第一杂质导入半导体衬底内,形成杂质层; (d)进行热处理,使该杂质层的第一杂质重新分布形成第一势阱,与此同时,在该第一开口部分的半导体衬底的裸面上,形成具有特定膜厚的第二绝缘层;(e)在该第一...
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