技术编号：7000421
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体照明，具体涉及发光二极管外延片结构和加工工艺。 背景技术大功率的蓝光发光二极管的用途越来越广，从原来的公共照明正在向家用照明发展，其节能环保效果显著。外延结构是发光二极管的核心部分，目前最成熟且最具有效率的蓝光发光二极管是采用氮化镓作为外延结构的基本材料，通常的结构是在衬底上生长有GaN基材料和器件的外延层。现有的一种大功率蓝光LED的外延结构如图1所示，是在衬片层的上面自下至上依次生长有蓝宝石层衬底层、低温GaN缓冲层、N-GaN接触层、...
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