技术编号：7000493
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本专利涉及AWaN紫外探测器，具体指一种具有二次台面包裹电极的AWaN紫外探测器及制备方法。背景技术目前，AWaN材料以独特的物理、化学、电学特性成为紫外材料的领军者。AWaN材料覆盖了 200-365nm波段，其器件量子效率高、灵敏度高、紫外可见抑制比大，可完全工作于低背景的日盲波段O40-280nm)。MGaN紫外探测器可应用于生化传感器、火焰探测(火警系统、导弹及飞机尾焰探测)、紫外通信、紫外成像等领域，可对尾焰或者羽烟中释放出大量紫外辐射的飞行目标...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。