技术编号：7000610
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体非挥发性存储器，具体涉及，特别涉及一种采用自对准工艺的半导体存储器结构及其控制方法。背景技术随着微电子技术的不断发展，集成电路芯片的发展基本上遵循摩尔定律，即半导体芯片的集成度以每18个月翻一番的速度增长，这使得集成电路的设计朝着片上系统集成(SOC)的方向发展，而实现SOC的一个关键技术就是低功耗、高密度、存取速度快的片上存储器的集成。如今的集成电路器件技术已经处于30纳米左右，但是传统浮栅(Flash)存储器由于耦合比和电压较高等问题，...
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