技术编号：7000843
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子，涉及半导体器件，特别是一种N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制备方法。背景技术碳化硅是最近十几年来迅速发展起来的宽禁带半导体材料。于其它半导体材料相比，比如Si和GaAs，碳化硅材料具有宽禁带、高热导率、高载流子饱和迁移率、高功率密度等优点。碳化硅可以热氧化生成二氧化硅，使得碳化硅MOSFET器件电和路的实现成为可能。自20世纪90年代以来，已在开关稳压电源、高频加热、汽车电子以及功率放大器等方面取得了广泛的应用。然而，碳化硅MO...
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