技术编号:7000886
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体器件,并且更具体地说涉及半导体器件和在半导体管芯之间形成不连续ESD保护层的方法。背景技术在现代电子产品中通常会发现有半导体器件。半导体器件在电部件的数量和密度上有变化。分立的半导体器件一般包括一种电部件,例如发光二极管(LED)、小信号晶体管、 电阻器、电容器、电感器、以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(M0SFET)。集成半导体器件通常包括数百到数百万的电部件。集成半导体器件的实例包括微控制器、微处理器、电荷耦合器件(CXD )...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。