技术编号:7000890
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别是一种提高MIM电容密度的结构及其制作工艺。背景技术随着半导体集成电路制造技术的不断进步,半导体的性能不断提升的同时,半导体也向着小型化,微型化的方向发展。电容器是集成电路中的重要组成单元,广泛运用于存储器,微波,射频,智能卡,高压和滤波等芯片中。MIM (Metal-Insulator-Metal)电容器,也即是金属-绝缘体-金属电容器已经广泛应用于半导体芯片中。现有技术中,存在着多种多样MIM电容器结构,如中国专利 CN12089...
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