技术编号：7000895
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制备，更确切的说，本发明涉及一种超厚顶层金属的金属硬掩模双大马士革工艺。背景技术在现有半导体元器件制造技术中，平面电感器是射频集成电路的重要组成部分。 对于电感器来说，品质因子是一个很重要参数。品质因子越高，电感器的功耗越小、效率越高。为了提高电感器品质因子，要求尽可能提高沟槽深度以降低电感器寄生电阻。目前业界通常使用厚度在3μπι以上的超厚金属层。而通过先全通孔(Via)后沟槽(Trench)的双大马士革制造工艺，通孔刻蚀的深宽比超过...
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