技术编号:7001060
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域,尤其涉及CMOS晶体管的制作方法。背景技术随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸(⑶)已经进入亚微米阶段。为了得到更快的运算速度、更大的数据存储量以及更多的功能,半导体集成电路不断向更高的元件密度、高集成度方向发展。其中,互补式金属氧化物半导体(CMOS)晶体管作为现代逻辑电路中的基本单元,包含PMOS与NM0S。当CMOS晶体管的制作工艺进展至微米级之后,由于源极/漏极区之间的 通道随之变短,会产生短通道效应(S...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。