技术编号：7001572
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及后段金属互连的制造工艺，尤其涉及。背景技术随着集成电路尺寸的缩小，芯片的特征尺寸越来越小，沟槽结构越来越深，高宽比越来越大，因此各薄膜工艺的填隙能力越来越受到挑战。而填隙能力的不足很容易在金属互连结构的侧壁上留下孔洞缺陷，造成后续的金属互连结构短路。而随着多孔超低介电常数介质材料在后段的广泛应用，多孔薄膜也容易在侧壁形成较长的孔洞。此外，刻蚀过程对侧壁的损伤也会影响到金属互连的可靠性。以金属前介质层(Pre-metal dielectric,简称...
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