技术编号:7001821
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种铜大马士革制造工艺,尤其涉及。背景技术随着微电子产业的飞速发展要求半导体器件的特征尺寸的减小,目前,半导体后段铜制程取代铝制程成为主流工艺。在混合信号和射频电路中,开发能够完全兼容CMOS逻辑电路及电感的铜大马士革工艺的金属-绝缘层-金属电容结构及制造流程成为必要。这不仅改善了工艺的复杂性;而且使用低电阻铜作为电极板可改善金属-绝缘层-金属电容性能。专利US63^234,在双大马士革结构中制作单层大马士革金属-绝缘层-金属电容。专利US667...
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