技术编号:7001856
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于新型半导体材料器件领域,具体涉及一种绝缘体上锗(GeOI)衬底制备方法。背景技术集成电路技术遵循着摩尔定律已发展了 40多年,通过减小器件几何尺寸提高工作速度的方法正面临晶体管尺寸物理极限的考验。为了继续提高器件的工作速度,需要寻找新的材料和结构。锗材料由于其高的载流子迁移率,被认为是实现下一代高速MOSFET的优选材料。常温(300K)下,锗材料的电子迁移率是硅的2. 4倍,空穴迁移率是硅的4倍。 目前利用锗材料作为沟道的衬底有体锗衬底、绝缘体...
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