技术编号:7002051
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,具体地说,本发明涉及一种浅沟槽隔离结构加工方法、根据该浅沟槽隔离结构加工方法制成的浅沟槽隔离结构、以及采用了该浅沟槽隔离结构加工方法的半导体器件制造方法。背景技术浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation, STI)是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。具体地说,浅沟槽隔离技术是在衬底上制作晶体管有源区之间的隔离区的一种工艺,能有效保证N型和P型掺杂区域能彻底隔断。传统的器件结构使用本征氧化隔离技术,...
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