技术编号：7002390
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。金属氧化物半导体(MOS)集成电路(IC)和分立式功率MOS晶体管通过MOS晶体管的栅极接收输入信号。如果高电压输入信号被施加到栅极，栅极氧化层可能不能承受该高电压而击穿。当人或机器运输半导体器件时，可能会产生高于正常输入电压的电压，导致对该半导体器件的损坏。然而，电压异常高的原因有很多种。例如，当从塑料包装中取出IC或分立式MOS 晶体管时，由于表面之间的摩擦会产生电荷。静电的范围可从几百伏到几千伏。如果这种高压被施加到IC或分立封装的管脚，封装内的晶体...
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