技术编号:7002605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种用于反应离子刻蚀工艺和等离子体离子清洗工艺的。背景技术反应离子刻蚀(RIE,Reactive Ion Etching)的刻蚀过程同时兼有物理和化学两种作用。辉光放电在零点几到几十帕的低真空下进行,硅片处于阴极电位,放电时的电位大部分降落在阴极附近,大量带电粒子受垂直于硅片表面的电场加速,垂直入射到硅片表面上,以较大的动量进行物理刻蚀,同时它们还与薄膜表面发生强烈的化学反应,产生化学刻蚀作用。反应离子刻蚀工艺也被广泛应用于半...
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