技术编号：7002615
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在复杂环境变化条件下，用于光通信信号源，信息处理和光纤放大器激发光源的半导体激光器及其制备方法。背景技术1962年后期，美国研制成功GaAs同质结半导体激光器，第一代半导体激光器产生；到1967年人们使用液相外延的方法制成了单异质结激光器，实现了在室温下脉冲工作的半导体激光器；80年代，量子阱结构的出现使半导体激光器出现了大的飞跃，经过90年代的发展，各方面理论研究和实验技术都得到了提高和成熟。光通信网络正不断向更高速的方向发展，而激光器的调...
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