技术编号:7002633
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,尤其涉及一种Hf基高k栅介质界面优化方法,其通过在高k栅介质与硅衬底界面引入界面优化层改善界面质量,同时通过在界面氧化硅层上形成界面反应层,在热退火工艺中,使界面反应层与界面优化层发生化学反应以减小界面氧化层的厚度,有助于获得界面良好且等效氧化层厚度小的高k栅介质层。背景技术40多年来,集成电路技术按摩尔定律持续发展,特征尺寸不断缩小,集成度不断提高,功能越来越强。目前,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸已进入亚50nm。伴...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。