技术编号:7002634
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造及设计,特别涉及一种。背景技术长期以来,为了获得更高的芯片密度、更快的工作速度以及更低的功耗。金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸一直遵循着所谓的摩尔定律 (Moore' slaw)不断按比例缩小,其工作速度越来越快。当前已经进入到了纳米尺度的范围。然而,随之而来的一个严重的挑战是出现了短沟道效应,例如亚阈值电压下跌 (Vtroll-off)、漏极引起势垒降低(DIBL)、源漏穿通(punch through)等现...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。