技术编号:7002751
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请根据2010年6月15日所申请的日本专利申请第2010-136470号。在本说明书中,参照引用上述申请的说明书、权利要求书、附图整体。本发明涉及一种。背景技术半导体集成电路中,尤以使用MOS (Metal Oxide Semiconductor,金属氧化物半导体)晶体管的集成电路已朝高集成化迈进。例如,在集成电路中所使用的MOS晶体管,其微细化已进展至纳米(nano)领域。MOS晶体管随着微细化的进展,泄漏电流的抑制益显困难。 因此,难以进行更进一步...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。