技术编号：7002850
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大致是关于集成电路的制作，且尤是关于通过使用嵌埋的硅/锗而具有应变沟道的晶体管，以增强该晶体管的该沟道区域的电荷载子移动率。背景技术复杂集成电路的制作需要提供为数甚多的晶体管组件，这些晶体管组件代表复杂电路的主要电路组件。举例来说，数以百万计的晶体管可设置在目前现有的复杂集成电路中。一般而言，目前所实施的有多个制程技术，其中，就复杂的电路系统(例如，微处理器、 储存芯片、及类似者)而言，CMOS科技是目前最大有可为的方法，其原因在于具有较好的操作速度...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。