技术编号:7002851
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关一种薄膜发光二极体及其制作方法,特别是指一种。背景技术利用镭射剥离法所制作的氮化镓发光二极体(Thin-GaN LED)有效增加了发光二极体在晶片阶段的散热,也减缓了 LED热效应所产生的效率下降(droop),另一方面也提升了发光面积,成为目前高功率LED的趋势。但在kwchung Sermonffu, Ji-Hao Cheng, and Wei Chih Peng 所发表白勺"Effects of laser sourceson the re...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。