技术编号:7002946
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括可变电阻型存储元件的存储装置以及制造该存储装置的方法。 背景技术过去,已有人提出了一种可变电阻型非易失性存储元件。在可变电阻型非易失性存储元件中,使用其电阻值变化的材料(下文中称作可变电阻材料)形成用于根据电阻值而存储信息的存储层。例如,以绝缘膜(高阻膜)作为存储层。存储层位于下部电极和上部电极之间,以形成存储元件。使用存储元件构成高速运行的存储装置(所谓的ReRAM)。作为一种可变电阻型非易失性存储元件,有人提出了一种由存储层和离子源层层叠...
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