技术编号:7003059
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造エ艺,特别是ー种。背景技术现代半导体器件制作过程中,随着电路结构越来越复杂,一次金属连线不能满足要求,因此往往采用多次金属进行互联。但是当金属线相互交叉或者重叠时,就会存在寄生电容。由于空气的介电常数比诸如ニ氧化硅和氮化硅的传统层间介质的介电常数低,以空气为介质的交叉或重叠的金属线寄生电容较低,因此在微电子器件、电路的制造过程中,一些关键金属线交叉或者重叠处,往往采用空气作为介质,这种结构称为空气桥。目前常用金属溅射或者化学镀的方法制作...
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