技术编号：7003245
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体涉及在半导体衬底上制造器件的方法和装置。更具体地，本发明涉及在等离子体蚀刻半导体衬底上的层之后，去除含卤素的残余物的方法和装置。背景技术超大规模集成(ULSI)电路包括数百万个电子器件(例如晶体管)，它们形成于半导体衬底如硅(Si)衬底上，并在器件中共同实施多种功能。通常，在ULSI电路中所使用的晶体管都是互补型金属氧化物半导体(CM0Q场效应晶体管。CMOS晶体管具有包括多晶硅栅极和栅极电介质并且设置在于衬底中形成的源极区和漏极区之间的栅极结构...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。