技术编号:7003475
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,尤其涉及一种超结结构的纵向双扩散金属氧化物半导体功率器件。背景技术目前功率器件被广泛地应用于开关电源、汽车电子、工业控制等领域;纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Vertical Double-diffused MOSFET,简称VDMOS),与传统双极型功率晶体管相比具有许多优良性能,如输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、电压控制性好、热稳定性好,没有二次击穿等特点,是较为优异的功率器件。尤其是超结结构 VDMOS的发明,它克...
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