技术编号:7003583
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶体硅太阳电池,具体涉及一种具有非晶氧化铝钝化硅表面的带有本征层的异质结(HIT)结构的太阳电池及其制备方法。背景技术目前HIT结构晶体硅太阳电池采用非晶硅作为本征层钝化硅表面,然而非晶硅对短波长光有较强的吸收,而且对硅的钝化性能在UV下不稳定。本发明采用原子层沉积 (ALD)系统制备的非晶氧化铝作为本征层可以很好解决这两个问题。非晶硅氧化铝的带隙约6. 8eV,对太阳光完全透明,对硅表面具有良好的钝化性能,且不受UV辐射的影响,使得电池性能...
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