技术编号:7003985
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于新型半导体材料器件领域,具体涉及一种绝缘体上锗(GeOI)衬底制备技术。背景技术集成电路技术遵循着摩尔定律已发展了 40多年,通过减小器件几何尺寸提高工作速度的方法正面临晶体管尺寸物理极限和技术极限的双重考验。为了继续提高器件的工作速度,就需要采用新的材料和器件结构。锗材料由于其高的载流子迁移率(常温下,电子迁移率是硅的2. 4倍,空穴迁移率是硅的4倍),被认为是未来CMOS器件非常有潜力的候选材料。因此,Ge基器件成为近年来国际研究热点之一。另...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。