技术编号:7004153
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及一种半导体发光器件,更具体而言涉及一种电极结构得到改进以实现均勻电流密度分布的半导体发光器件。背景技术诸如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)的半导体发光器件是用于将电转换成光的固态电子器件。这种半导体发光器件包括设置于P型半导体层和η型半导体层之间的半导体材料有源层。如果在P型半导体层和η型半导体层的末端之间施加电流,从η型和ρ 型半导体层向半导体材料有源层中注入电子和空穴。然后,在注入的电子和空穴在半导体材料有源层处复合时,产生光。通常,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。