技术编号:7004903
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及其制作方法,特别涉及一种双面外露以改善散热性能的半导体器件及其制作方法。背景技术在半导体功率器件的应用中,散热和器件尺寸是两个重要参数;即是说,一般希望在不增加器件尺寸的基础上,能够有更多的面积暴露在塑封体外,以获得更好的散热效果。通常的半导体器件,采用暴露栅极或漏极的结构,来帮助散热。如图I、图2所示,是现有一种半导体器件的两种实施结构,其中,芯片100的栅极110和源极120朝上,通过锡球140而对应与栅极110和源极120的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。