技术编号:7005028
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及电子器件以及形成电子器件的工艺,并且更特别地涉及包括在沟槽内的特征件(feature)的电子器件及其形成工艺。背景技术穿过晶片的通孔典型地被用来形成在堆叠结构的不同管芯之间的连接。此类通孔能够通过在晶片的其中一个主表面上形成电路来形成。然后通过背研磨或其它机械操作使晶片变薄,并且然后形成通孔通过晶片的全部或基本上全部的剩余厚度。每个通孔具有类似于但稍微小于由键合焊盘所占用的区域的宽度。由此,通孔的宽度为50微米或更大。通孔包括体硅、多晶硅、元素金...
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