技术编号:7005113
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别涉及ー种MOS晶体管的形成方法。背景技术金属-氧化物-半导体(metal oxide semiconductor, M0S)场效应晶体管作为半导体制造中最基本的器件,广泛应用于各种集成电路中,MOS晶体管分为P沟道型MOS晶体管和N沟道型MOS晶体管。随着半导体器件尺寸的不断减小,在32nm以下制造エ艺中,已经很难通过进ー步减小特征尺寸来提升半导体器件的性能。而对于MOS晶体管而言,通常是采用应变硅技木,在不缩小器件特征尺寸的情况下,...
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