技术编号:7005186
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电子器件制作领域,涉及一种纳米线阵列LED顶电极的制备方法, 具体说是利用氧化石墨薄膜作为支撑物,在纳米线阵列上制备接触良好的透明导电薄膜, 以作为电极。背景技术基于纳米线阵列的LED器件因具有更好的晶体质量、更高的载流子注入效率以及光子抽取率而倍受关注,有望实现较薄膜LED具有更高电注入发光效率的新型LED器件。要实现纳米线阵列LED器件,除了阵列及结区的生长构造之外,还要将纳米线顶端连接起来, 以实现大量纳米尺寸的LED同时发光,这样才能满...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。