技术编号:7005411
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子领域,尤其涉及。 背景技术目前,在65纳米及以下的制程中,一般采用降低热预算,来控制器件特性。对于源漏高浓度掺杂的热扩散通过采用峰值退火(Spike anneal)工艺,能将热预算降低到最小, 但这却对源漏控制结漏电产生不利的影响;而漏电大小又是影响产品性能以及良率的最重要因素,尤其对于SRAM来讲影响更甚。源漏离子掺杂工艺作为半导体制作MOS器件的重要工艺,对于控制源漏的金属硅化物的结漏电起着至关重要的影响。即可以通过改善源漏离子掺杂工艺...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。